最佳:

查看Adesto的电阻式存储器架构。 存储为一个强大的导电桥主场迎战一对传统的浮动门费用的数据。

中间:

工作CBRAM的原则; 存储由电压和电流创建健壮导电链接数据。

底部:

CBRAM产品的横截面演示了标准CMOS工艺易于集成。 (在阿尔蒂斯半导体装配式)。

技术/ IP

CBRAM技术

Adesto的导电桥接RAM(CBRAM)是突破性的非易失性存储器技术,具有比今天的领先记忆能耗显著少而不牺牲性能和可靠性。 凭借其独特的快速,低能量运行的组合,CBRAM是互联网的,物联网等能源敏感的应用的理想搭配。

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Adesto的CBRAM存储通过施加晶圆厂友好创建的,专利的金属化和标准CMOS互连金属层之间的电介质堆叠层(见图1和3)。 的存储单元的大小由底层存取晶体管来确定。 其结果是一个优良的非易失性存储器(NVM)技术与长期的CMOS伸缩性。 CBRAM技术可以缩小与当今CMOS技术在身体上和电。

CBRAM技术依靠电化学沉积和电压和电流的应用下的导电链路的溶解。 这个过程产生,其中用于表示数据的CBRAM存储元件的电阻的巨大变化。 导电环节是坚固,可以承受很高的热应力。 一个显着的优点是,相对于今天的闪存技术(〜1毫秒)中CBRAM比特单元写操作是非常快的(<1微秒),也并不要求一个位被预先擦除。 这使得上CBRAM产品比闪存快20倍的写入操作,同时消耗较少10至100倍的能量。

Adesto强大的知识产权地位

自2007年以来,Adesto技术公司一马当先开发CBRAM技术,在同行业中是公认的强大的专利组合。 Adesto一直专注于以CBRAM技术从实验室到晶圆厂到市场。 Adesto的诀窍包括物理的基本理解,材料和产品化电阻式存储所需的设计,并与生态系统的广泛经验; 从原料到成品器件制造。

Adesto的CBRAM技术的授权许可计划

Adesto技术是在电阻记忆的商业化和加强与半导体行业合作伙伴SOC许可协议的公认领导者。 代工厂,IDM厂商或无晶圆厂半导体公司寻找低功耗嵌入式非易失性存储器解决方案应联系 Adesto 直接在CBRAM合作机会。